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                                    VGF坩堝

       一.產品概述
             
VGF是目前國際上生長GaAs和InP等化合物半導體單晶的主流技術。
              VGF坩堝為垂直梯度凝固法(VGF)生長化合物單晶的容器。
       二.產品特點
               
純度高達99.999%
               與熔融金屬不潤濕
               熱導率可控,有效提高成晶率
               優異的抗熱震性
               易清洗,可重復使用
               化學惰性,在高溫下與酸、堿不發生化學反應
            
               
  • 規格說明
  • 性能參數
  • 產品應用
  • 文檔下載
  • Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness
    BV-2 VGF 2" 10" 0.035"
    BV-3 VGF 3" 10" 0.035"
    BV-4 VGF 4" 8" 0.035"
    BV-5 VGF 5" 8" 0.04"
    BV-6 VGF 6" 7" 0.04"
    BV-8 VGF 8" 20" 0.08"
             

    7m足球指数网 www.uxebk.com.cn            *此表為典型坩堝規格,如需其他規格尺寸,可以定制

  •   PBN性能參數表

     

    Properties Units Values
    Density g/cm3 1.95-2.20
    Tensile Strength MPa 112
    Bending Strength MPa 173
    Compression Strength MPa 154
    Young's Modulus GPa 18
    Thermal Conductivity W/m°C "a" 60     "c" 2
    Specific Heat J/g·℃ 0.90RT
    Resistivity Ω.cm 2×1015
    Dielectric Strength D.C. volts/mm 2×1015
    Dielectric Constant   "c" 3.07
    Metal Impurity Content ppm <10
     

     


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