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化合物半導體單晶生長

化合物半導體單晶(比如GaAs、InP等)的生長需要極其嚴格的環境,包括溫度、原料純度以及生長容器純度等。PBN是目前化合物半導體單晶生長用最為理想的容器,無可替代?;銜鋨氳繼宓ゾし椒殼爸饕幸悍庵崩ǎ↙EC)和垂直梯度凝固法(VGF)等方法,對應的有博宇VGF和LEC系列坩堝產品。

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  • 參考文獻
    化合物半導體被稱為第二代半導體材料,與第一代半導體材料相比,具有光學躍遷、電子飽和漂移速率高以及耐高溫、抗輻射等特點,在超高速、超高頻,低功率、低噪音幾千和電路,特別是在光電子器件和光電儲存方面占有獨特的優勢,其中最具有代表性的就是GaAs和InP等。 

        
                       VGF 坩堝                                    LEC坩堝

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