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分子束外延

分子束外延(MBE)是當今世界最重要的Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導體晶體外延生長工藝之一。
它是在適當的襯底與合適的條件下,沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。

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  • 參考文獻
    MBE 中使用到的束源坩堝需要具有耐高溫、高純度、使用壽命長等特點,而PBN材料可以完全滿足以上要求,MBE過程中用作裝蒸發元素和化合物的最佳容器。博宇緊跟該項技術的發展,設計研發MBE系列坩堝可以與國際主流MBE設備進行配套使用。
      
                 錐形坩堝                                            雙層坩堝

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